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光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量技術(shù)的運(yùn)用范圍
將基于光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量功能與自動(dòng)高速載物臺(tái)相結(jié)合的系統(tǒng)
以過(guò)去無(wú)法想象的速度測(cè)量任意點(diǎn)的膜厚和折射率
兼容2英寸至450毫米的硅基板，可任意測(cè)量點(diǎn)。
| 半導(dǎo)體 | 抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 拋光硅片、化合物半導(dǎo)體襯底、?T襯底等。 |
|---|---|
| 平板 | 單元間隙、聚酰亞胺、ITO、AR薄膜、 各種光學(xué)薄膜等 |
| 薄膜太陽(yáng)能電池 | CdTe、CIGS、非晶硅等 |
| 砷化鋁鎵（AlGaAs）、磷化鎵（GaP）等 |
| 模型 | F50-UV | F50 | F50-近紅外 | F50-EXR | F50-UVX | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 測(cè)量波長(zhǎng)范圍 | 190-1100nm | 380-1050nm | 950-1700nm | 380-1700nm | 190-1700nm | |
| 膜厚測(cè)量范圍 | 5nm-40μm | 20nm-70μm | 100nm-250μm | 20nm-250μm | 5nm-250μm | |
| 準(zhǔn)確性* | ± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | |||
| 1納米 | 2納米 | 3納米 | 2納米 | 1納米 | ||
| 測(cè)量光斑直徑 | 兼容標(biāo)準(zhǔn)1.5mm 0.5mm、0.2mm、0.1mm（可選） | |||||
| 光源 | 氘· 鹵素 | 鹵素 | 氘· 鹵素 | |||
薄膜厚度分析 FIL Mapper 軟件具有強(qiáng)大而*的薄膜厚度分析算法和讓您輕松規(guī)定測(cè)量點(diǎn)的功能。
可進(jìn)行高速測(cè)量，最快可在 21 秒內(nèi)完成 300 mm 晶圓上的 25 點(diǎn)測(cè)量。
